| Yazarlar (5) |
Atakan Bekar
Sinop Üniversitesi, Türkiye |
Doç. Dr. Osman ÇİÇEK
Kastamonu Üniversitesi, Türkiye |
Öğr. Gör. Dr. Sedat KURNAZ
Kastamonu Üniversitesi, Türkiye |
|
Rıfkı Terzioğlu
Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi, Türkiye |
Prof. Dr. Özgür ÖZTÜRK
Kastamonu Üniversitesi, Türkiye |
| Özet |
| In this work, experimentally, metal-semiconductor structures based on AuPd/n-GaAs and Ag/n-GaAs Schottky diodes (SDs) without interfacial layer were produced by utilizing DC sputter and dropping Ag paste to analize their electronic characteristics. Then, the current-voltage (IV) characteristics of the SDs at room temperature were obtained from the region in forward and reverse biases (at+/-3V). The characteristics of SDs, evaluated by using thermionic emission (TE) theory, Ohm’s law, Cheung and Cheung’s function and modified Norde’s function, were compared to different rectifier contact metals. |
| Anahtar Kelimeler |
| Bildiri Türü | Tebliğ/Bildiri |
| Bildiri Alt Türü | Tam Metin Olarak Yayınlanan Tebliğ (Uluslararası Kongre/Sempozyum) |
| Bildiri Niteliği | Alanında Hakemli Uluslararası Kongre/Sempozyum |
| Bildiri Dili | İngilizce |
| Kongre Adı | International Congress on Engineering and Life Science |
| Kongre Tarihi | 11-04-2019 / 14-04-2019 |
| Basıldığı Ülke | Türkiye |
| Basıldığı Şehir | Kastamonu |
