img
A Review: Breakdown Voltage Enhancement of GaN Semiconductors-Based High Electron Mobility Transistors  
Yazarlar
Doç. Dr. Osman ÇİÇEK Doç. Dr. Osman ÇİÇEK
Kastamonu Üniversitesi, Türkiye
Yosef Badalı
İstanbul Ticaret Üniversitesi, Türkiye
Makale Türü Özgün Makale
Makale Alt Türü SSCI, AHCI, SCI, SCI-Exp dergilerinde yayımlanan tam makale
Dergi Adı IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
Dergi ISSN 1530-4388
Dergi Tarandığı Indeksler SCI-Expanded
Dergi Grubu Q2
Makale Dili Türkçe
Basım Tarihi 06-2024
Cilt No 24
Sayı 2
Sayfalar 275 / 286
Doi Numarası 10.1109/TDMR.2024.3379745
Makale Linki https://doi.org/10.1109/tdmr.2024.3379745