Evaluation of electrical and photovoltaic behaviours as comparative of Au n GaAs MS diodes with and without pure and graphene Gr doped polyvinyl alcohol PVA interfacial layer under dark and illuminated conditions
Yazarlar (6)
Doç. Dr. Osman ÇİÇEK Kastamonu Üniversitesi, Türkiye
H. Uslu Tecimer Karabük Üniversitesi, Türkiye
S. O. Tan Karabük Üniversitesi, Türkiye
H. Tecimer Karabük Üniversitesi, Türkiye
Altindal Gazi Üniversitesi, Türkiye
I. Uslu Gazi Üniversitesi, Türkiye
Makale Türü Özgün Makale (SSCI, AHCI, SCI, SCI-Exp dergilerinde yayınlanan tam makale)
Dergi Adı Composites Part B Engineering
Dergi ISSN 1359-8368 Wos Dergi Scopus Dergi
Dergi Tarandığı Indeksler SCI
Makale Dili İngilizce Basım Tarihi 08-2016
Kabul Tarihi Yayınlanma Tarihi 01-08-2016
Cilt / Sayı / Sayfa 98 / 1 / 260–268 DOI 10.1016/j.compositesb.2016.05.042
Makale Linki http://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/S1359836816307053
Özet
Au/n-GaAs (MS) type Schottky diodes (SDs) were fabricated with and without pure and Gr-doped PVA interlayer to evaluate the effects of Gr-doped PVA interlayer on the basic electrical parameters (i.e. saturation current (Io), ideality factor (n), barrier height (ФBo), series (Rs) and shunt resistances (Rsh) both under dark and illuminated conditions...
Anahtar Kelimeler
Electrical properties | Nano-structures | Polymer (textile) fibre